eeprom 文章 進入eeprom技術(shù)社區(qū)
意法半導體推出Page EEPROM二合一存儲器提升智能邊緣設(shè)備的性能和能效
- 意法半導體的 Page EEPROM兼?zhèn)銭EPROM存儲技術(shù)的能效和耐用性與閃存的存儲容量和讀寫速度,為面臨極端尺寸和功率限制的應用場景提供了一個混合存儲器。嵌入式系統(tǒng)需要支持日益復雜的先進功能,運行數(shù)據(jù)密集型的邊緣 AI 算法,意法半導體的新存儲器可以滿足嵌入式應用對存儲容量的日益增長的需求。例如,在耳背式助聽器中,Page EEPROM可以降低物料清單成本,讓助聽器變得更纖薄,佩戴更舒適。除了可穿戴設(shè)備外,Page EEPROM 還是醫(yī)療設(shè)備、資產(chǎn)追蹤器、電動自行車以及其他工業(yè)和消費產(chǎn)品等應用的理想選
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avr eeprom保護方法.
- 在項目中復制出來的程序,使用時可能有些地方需要修改。編譯環(huán)境:WinAVR-20060421+AVRStudio4.12.498ServicePack4基本思路:每份寫到EEPRM的數(shù)據(jù),都做三個備份,每個備份的數(shù)據(jù)都做CRC16校驗,只要系統(tǒng)運行中出錯,錯誤地修改了EEPROM數(shù)據(jù),那么根據(jù)校驗字節(jié)就知道哪個備份的數(shù)據(jù)被修改了,然后用正確的備份覆蓋出錯的備份,達到數(shù)據(jù)恢復的目的。EEPROMSave.h文件:#defineEepromPageSize 64 //頁容量定義#defineEepromPag
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EEPROM 和 flash 這樣講,早就懂了!
- 前幾天看到群里在討論存儲器,有些人一直搞不懂,今天給大家分享一篇文章總結(jié)一下。存儲器分為兩大類:RAM 和 ROM。RAM 就不講了,今天主要討論 ROM。rom最初不能編程,出廠什么內(nèi)容就永遠什么內(nèi)容,不靈活。后來出現(xiàn)了prom,可以自己寫入一次,要是寫錯了,只能換一片,自認倒霉。人類文明不斷進步,終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下,想一下你往單片機上下了一個程序之后發(fā)現(xiàn)有個地方需要加一句話,為此你要把單片機放紫外燈下照半小時
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MSPM0在指定Flash地址開辟模擬EEPROM
- 在嵌入式系統(tǒng)中,諸如變頻器和伺服驅(qū)動器等工業(yè)應用,乃至CD播放器等眾多消費電子產(chǎn)品,都需要保存最近的用戶設(shè)置,在下次上電后加載使用。如果使用MCU內(nèi)置Flash,一般擦寫次數(shù)限制在10k次,無法滿足壽命和耐久性要求,所以只能通過外置EEPROM實現(xiàn)。TI新推出的MSPM0系列MCU支持使用Flash模擬EEPROM,在小容量存儲需求的場合能節(jié)省外部EEPROM芯片,實現(xiàn)成本控制。MSPM0系列MCU的Flash容量覆蓋16KB到128KB,其中低32KB的Flash區(qū)域支持10萬次擦寫,而剩余區(qū)域支持1萬
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復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品
- 4月27日,上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會,推出FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進NAND flash工藝,滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進EEPROM工藝,具備低功耗、
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復旦微電子推出低功耗超寬電壓I2C串行EEPROM
- 上海復旦微電子集團股份有限公司近日推出了低功耗超寬電壓FM24LNXXX系列I2C串行EEPROM存儲器,可滿足CCM、白電、電表儀器、5G通訊、車載等相關(guān)應用領(lǐng)域的應用需求。該系列首批容量包含F(xiàn)M24LN64(64Kbit)和FM24LN128(128Kbit)兩個型號。產(chǎn)品支持1.1V~5.5V超寬工作電壓范圍,溫度覆蓋-40℃~+85℃,全電壓范圍內(nèi)均支持400KHz/1MHz工作頻率,5.5V下典型待機電流小于1uA,讀寫電流不超過0.8mA,產(chǎn)品滿足400萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存100年的高可靠性
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富士通電子推出能在苛刻環(huán)境正常工作的SPI 2Mbit FRAM
- 富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型號為MB85RS2MTY的SPI 2Mbit FRAM?注1?。此款容量最高的FRAM產(chǎn)品能在高達攝氏125度的高溫下正常運作,其評測樣品(evaluation sample)現(xiàn)已開始供應。?此款FRAM非易失性內(nèi)存在運作溫度范圍內(nèi)能保證10兆次讀 / 寫次數(shù),并支持實時記錄像駕駛數(shù)據(jù)或定位數(shù)據(jù)等,這類需要持續(xù)且頻繁的數(shù)據(jù)記錄。由于該內(nèi)存屬于非易失性,并且具有高速寫入特點,即使遇到突然斷電的狀況,寫入的數(shù)據(jù)也能完整保留不會遺失。
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數(shù)據(jù)存儲很重要,這塊把錢省不掉?
- 多日后,當李工在領(lǐng)導面前拍著桌子指責我的時候,我才知道,原來我倆在項目啟動會上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
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EEPROM和EPROM的區(qū)別在哪里?
- EEPROM是指帶電可擦可編程只讀存儲器,是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片,EEPROM可以在電腦上或?qū)S迷O(shè)備上擦除已有信息,重新編程,一般用在即插即用。EPROM是一種斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的計算機儲存芯片,它是一組浮柵晶體管,被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后,EPROM只能用強紫外線照射來擦除,通過封裝頂部能看見硅片的透明窗口,很容易識別EPROM,這個窗口同時用來進行紫外線擦除。 一、EEPROM和EPROM的發(fā)展歷程不同 在微機的發(fā)展初期,BIOS都
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支持下一代特性的真正的汽車0級認證和低壓1級汽車級EEPROM
- 在當今時代,我們的出行需要汽車等交通工具,與其說追求汽車的多功能和花哨,我們所依賴的更多功能現(xiàn)在被考慮為安全至上,這意味著它們必須滿足更高的要求。集成電路處于惡劣的環(huán)境中,不叫不容易把握,最常見的可能也是汽車。在汽車行業(yè),常需設(shè)計能承受溫度達+125°C的電子控制單元以實現(xiàn)安全至上的特性,對于滿足這一要求的器件,行業(yè)標準是AECQ-100汽車1級,其中1級指該器件已經(jīng)過在-40°C到+125°C之間的環(huán)境溫度范圍內(nèi)運行的測試?! ∵@很重要,因為器件的數(shù)據(jù)表通常將說明在+25℃的環(huán)境溫度下的性能,并顯示
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eeprom介紹
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)S迷O(shè)備上擦除已有信息,重新編程。一般用在即插即用。
EEPROM(電可擦寫可編程只讀存儲器)是可用戶更改的只讀存儲器(ROM),其可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程(重寫)。 [ 查看詳細 ]
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